SI2312BDS-T1-E3全国供应商、价格、PDF
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SI2312BDS-T1-E3 PDF下载
- 大小：108K
- 厂家：Vishay
- 描述： MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):47mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:850mV; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Base Number:2312; Current Id Max:5A; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:750μW; Pulse Current Idm:15A; SMD Marking:M2; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:850mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage Vgs th Max:0.85V; Voltage Vgs th Min:0.45V
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